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更新時間：2025-03-15 
瀏覽次數：237將 Be~U 中的所有元素（包括 B、C、N 和 O）包含在一個單元中，這些元素是重要的半導體材料
WDX 具有高信噪比和高分辨率，使用可實現比能量色散 X 射線熒光 （EDX） 儀器更準確的分析。 高功率 X 射線管和專用于超輕元素的光譜晶體可實現超輕元素測量，例如 B、C、N 和 O，這是 EDX 無法實現的。 此外，由于 Si 的影響，難以用 EDX 分析的 Al 超薄膜可以通過高分辨率的 WDX 清晰分離。
| 產品名稱 | 阿茲 400 | |
|---|---|---|
| 技術 | 掃描波長色散 X 射線熒光光譜法 （WDXRF） | |
| 用 | 分析所有樣品的薄膜厚度和成分，例如 φ50 mm 至 φ300 mm 的晶圓、芯片、切割的晶圓等。 | |
| 科技 | 將 Be~U 中的所有元素（包括 B、C、N 和 O）包含在一個單元中，這些元素是重要的半導體材料 | |
| 主要組件 | 4 kW 封裝 X 射線管、掃描測角儀、初級 X 射線濾光片、φ 30、20、10、1、0.5 mm 視場限制裝置 | |
| 選擇 | 晶圓加載器、SQX 軟件、CCD 相機 | |
| 控制 （OC） | 外部 PC、MS Windows®作系統、同步涂層厚度成分分析標準軟件 | |
| 本體尺寸 | 1376 （W） x 1710 （H） x 890 （D） 毫米 | |
| 重量 | 約 800 kg（主機） | |
| 權力 | 三相 200 VAC 50/60 Hz，50A | |
我們已經實現了對 B 的高靈敏度分析，B 用于通用存儲器和磁頭等磁性材料。 如果使用 FP 方法，也可以同時分析薄膜厚度和成分。
在 MRAM 中的重要材料 MgO 薄膜中，可以高精度地區分 0.1 nm 的薄膜厚度差異。 未來，預計薄膜將變薄至約 0.5 nm，但 AZX 400 可用于充分分析。
AZX 400 能夠使用 FP 方法對多達 10 層層壓薄膜進行全層分析。 在 STT-MRAM 的情況下，除了 MgO 和 CoFeB 的重要膜外，還可以在單個配方中分析 Ta、Ru、PtMn 等。
對于標準品制備困難的應用，使用 SQX 軟件（可選）進行半定量分析非常有用。 由于還考慮了晶圓分析的干涉衍射線的影響，并且可以選擇多個光譜，因此可分析的薄膜厚度比以前寬了一個數量級。
使用大型樣品室可容納*大 φ400 mm × 50 （H） mm（*大重量 30 kg）的樣品尺寸。 適配器適用于各種樣品形狀。 從 300mm 晶圓的大型濺射靶材到切割晶圓，我們都可以用一個單元靈活地處理它們。
從 300 mm FOUP 到 100 mm 開口包埋盒（可選）。 可以進行全自動分析，例如在夜間進行分析，從而提高分析工作的效率。
CCD 相機（可選）可以測量對準異物和圖案的點。 可以在查看圖像時設置*小直徑為 φ0.5 mm 的任何測量點。 面內分布測量可在一次測量中執行多達 999 個點。 結合高精度樣品臺，可實現 0.1 mm 步長的分析。
基于其他型號采用并已在數百臺設備上使用的軟件，它實現了多種用戶友好的功能。
它是 SEMI 認證的儀器，為**半導體制造應用設定了標準。
?濺射靶材成分
和絕緣膜：SiO2、BPSG、PSG、AsSG、Si?N?、SiOF、SiON等
高介電常數和鐵電薄膜：PZT、BST、SBT、Ta?O?、HfSiOx
?金屬薄膜：Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni 等。
?電極薄膜：摻雜多晶硅（摻雜劑：B、N、O、P、As）、非晶硅、WSix、Pt 等。
其他摻雜薄膜（As、P）、捕獲惰性氣體（Ne、Ar、Kr 等）、C （DLC）、
鐵電薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR。 PCM、GST、GeTe
、焊點的組成：SnAg、SnAgCuNi
、MEMS：ZnO、AlN、PZT、SAW 器件的厚度和組成
工藝：AlN、ZnO、ZnS、SiO ?（壓電薄膜）的厚度和組成 Al、AlCu、AlSc、AlTi（電極膜）
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