TXRF 310Fab 系列

全內(nèi)反射 X 射線熒光光譜儀

分析痕量從輕元素 Na 到重元素 U 的污染物元素

采用轉(zhuǎn)子式高功率 X 射線發(fā)生器和新設計的入射 X 射線單色器。

過渡金屬 LLD 10 采用直接 TXRF 測量方法8 原子/厘米2達到水平。 在封閉 X 射線管測量時間的 1/3 內(nèi)即可實現(xiàn)相同的精度，從而實現(xiàn)高通量。

描述 TXRF 310Fab

1 個靶標、3 個光束系統(tǒng)

這是一種方法，它使用三種類型的光譜晶體來提取被測元素的最佳單色 X 射線束，并將其用于污染元素激發(fā)。 用于輕元素測量的 W-Mα 射線不會激發(fā) Si，因此可以分析 Na、Mg 和 Al。 從 Na~U 連續(xù)進行高精度自動分析。

通過去除衍射線將散線的影響降至很低

它使用抑制高階反射的光學系統(tǒng)和 X-Y-theta 驅(qū)動平臺，自動 X 射線入射方向選擇功能消除了基板上的衍射線，并以最小的散射射線干擾實現(xiàn)高 S/N 測量。 可以對整個晶圓表面進行準確和高精度的痕量分析。

可以與異物檢查坐標數(shù)據(jù)進行坐標聯(lián)動。

異物檢查裝置的坐標數(shù)據(jù)可以導入 TXRF 系統(tǒng)，并且可以對顆粒存在點進行污染元素分析。 滴灌跟蹤搜索功能使用的算法，需要快速準確的坐標。

晶圓表面的高速污染物篩選 “Sweeping-TXRF function"

Sweeping-TXRF 方法可用于使用直接 TXRF 方法高速測量晶圓表面的內(nèi)部，并闡明污染元素的分布狀態(tài)。 整個晶圓表面的污染分析是在短時間內(nèi)完成的，而代表性坐標測量（如平面中的 5 或 9 個點）無法捕獲。 300mm 晶圓整個表面的 5×1010 原子/厘米2 污染物檢測可在短短 50 分鐘內(nèi)完成。 除了污染物元素的分布外，還可以通過整合整個表面的測量值來計算晶圓表面的平均污染物濃度。

邊緣排除 0mm 無損和非接觸式污染測量 “ZEE-TXRF 功能"

我們已經(jīng)在晶圓邊緣附近實現(xiàn)了高靈敏度測量，這是迄今為止TXRF方法無法測量的。 現(xiàn)在可以使用 TXRF 在污染集中的邊緣進行污染分析。

晶圓背面的全自動測量 “BAC-TXRF 功能"

EFEM 中安裝了晶圓翻轉(zhuǎn)機器人，實現(xiàn)無人化和全自動的 300mm 晶圓背面污染測量。 當與 ZEE-TXRF 功能結(jié)合使用時，可以對晶圓的每個部分進行全面的污染分析和評估。

兼容 300mm Fab

配備 Fab 的標準 FOUP/SMIF 接口，兼容 300mm/200mm 晶圓。 此外，它還支持各種 AMHS，并通過支持主機和 SECS/GEM 協(xié)議來支持 CIM/FA。